Kingston Technology KSM56R46BD8-32MD módulo de memoria 32 GB 1 x 32 GB DDR5 5600 MT s
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Kingston Technology KSM56R46BD8-32MD módulo de memoria 32 GB 1 x 32 GB DDR5 5600 MT/s

KSM56R46BD8-32MD

Kingston Technology KSM56R46BD8-32MD, 32 GB, 1 x 32 GB, DDR5, 288-pin DIMM

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Descrição
Las memorias de Kingston han sido diseñadas, fabricadas y rigurosamente probadas para satisfacer las especificaciones exactas de cada sistema de una marca específica.

Kingston Technology KSM56R46BD8-32MD. Componente para: PC/servidor, Memoria interna: 32 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 32 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM, Latencia CAS: 46
Memoria interna32 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 32 GB
Tipo de memoria internaDDR5
Rango de memoria de transferencia de datos5600 MT/s
Componente paraPC/servidor
Forma de factor de memoria288-pin DIMM
ECCNo
Tipo de memoria con búferRegistered (buffered)
On-Die ECCSi
Latencia CAS46
Clasificación de memoria2
Voltaje de memoria1.1 V
Configuración de módulos4096M x 80
Tiempo de ciclo de fila48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila295 ns
Tiempo activo en fila32 ns
Tiempo mínimo entre una fase de precarga y una fase de activación (TRP)16
Perfil SPDSi
Programador de potencia de voltaje (VPP)1,8 V
Placa de plomoOro
Estándar JEDECSi
Intervalo de temperatura operativa0 - 95 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Certificados de conformidadRoHS
No contieneHalógeno
Ancho133,3 mm
Altura31,2 mm
Dados do produto
Kingston Technology
KSM56R46BD8-32MD
1 Item
Novo

Ficha informativa

Memoria interna
32 GB
Tipo de memoria interna
DDR5
Forma de factor de memoria
288-pin DIMM
Intervalo de temperatura operativa
0 - 95 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Certificados de conformidad
RoHS
Ancho
133,3 mm
Altura
31,2 mm
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 32 GB
Componente para
PC/servidor
ECC
No
Rango de memoria de transferencia de datos
5600 MT/s
No contiene
Halógeno
Tipo de memoria con búfer
Registered (buffered)
Latencia CAS
46
Voltaje de memoria
1.1 V
Tiempo de ciclo de fila
48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
295 ns
Tiempo activo en fila
32 ns
Placa de plomo
Oro
On-Die ECC
Si
Clasificación de memoria
2
Configuración de módulos
4096M x 80
Programador de potencia de voltaje (VPP)
1,8 V
Estándar JEDEC
Si
Perfil SPD
Si
Tiempo mínimo entre una fase de precarga y una fase de activación (TRP)
16

Referências específicas

ean13
0740617342277
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