Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600 módulo de memoria 1 x 4 GB 1600 MHz
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Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600 módulo de memoria 1 x 4 GB 1600 MHz

KVR16S11S8/4
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Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600, 4 GB, 1 x 4 GB, DDR3, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMM

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Descrição
Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garantía de por vida.

Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600. Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR3, Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz, Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 11
Memoria interna4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB
Tipo de memoria internaDDR3
Velocidad de memoria del reloj1600 MHz
Componente paraPortátil
Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
ECCNo
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Latencia CAS11
Ancho de datos64 bit
Clasificación de memoria1
Voltaje de memoria1.5 V
Configuración de módulos512M X 64
Tiempo de ciclo de fila48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns
Tiempo activo en fila35 ns
País de origenTaiwán
Placa de plomoOro
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Ancho67,6 mm
Altura30 mm
Tipo de embalajeSO-DIMM
Código de Sistema de Armomización (SA)84733020
Organización de los chipsX8
Velocidad del reloj de bus1600 MHz
Indicación de errorNo
Disposición de memoria1 x 4096 MB
Memoria interna4096 MB
Dados do produto
Kingston Technology
KVR16S11S8/4
21 Itens
Novo

Ficha informativa

Memoria interna
4 GB
Tipo de memoria interna
DDR3
Velocidad de memoria del reloj
1600 MHz
Forma de factor de memoria
204-pin SO-DIMM
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Ancho
67,6 mm
Altura
30 mm
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 4 GB
Componente para
Portátil
ECC
No
Tipo de embalaje
SO-DIMM
Código de Sistema de Armomización (SA)
84733020
País de origen
Taiwán
Ancho de datos
64 bit
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS
11
Voltaje de memoria
1.5 V
Tiempo de ciclo de fila
48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
260 ns
Tiempo activo en fila
35 ns
Placa de plomo
Oro
Clasificación de memoria
1
Configuración de módulos
512M x 64
Disposición de memoria
1 x 4096 MB
Organización de los chips
X8
Velocidad del reloj de bus
1600 MHz
Indicación de error
No

Referências específicas

ean13
0740617207781
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