Referência: M280CS2130-500-RB
Marca: PNY
Samsung MZ-V9P2T0, 2 TB, M.2, 7450 MB/s
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| SDD, capacidad | 2 TB |
| Factor de forma de disco SSD | M.2 |
| Interfaz | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Si |
| Tipo de memoria | V-NAND MLC |
| Componente para | PC |
| Encriptación de hardware | Si |
| Versión NVMe | 2.0 |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| Tamaño de la unidad SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Velocidad de lectura | 7450 MB/s |
| Velocidad de escritura | 6900 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 1400000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 1550000 IOPS |
| Función DevSleep | Si |
| Soporte S.M.A.R.T. | Si |
| Soporte TRIM | Si |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Voltaje de operación | 3,3 V |
| Consumo de energía (max) | 7,8 W |
| Consumo de energía (promedio) | 5,4 W |
| Ancho | 80 mm |
| Profundidad | 8,2 mm |
| Altura | 24,3 mm |
| Peso | 28 g |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Golpes en funcionamiento | 1500 G |
Ficha informativa
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Samsung MZ-V9P2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
Samsung MZ-V9P2T0, 2 TB, M.2, 7450 MB/s
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Referência: M280CS2130-500-RB
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