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Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

MZ-VAP4T0BW
Samsung
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Samsung MZ-VAP4T0, 4 TB, M.2, 14800 MB/s

512,22 €
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32 Artículos

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Descripción
Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
SDD, capacidad4 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 5.0
NVMeSi
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC/ordenador portátil
Encriptación de hardwareSi
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Velocidad de lectura14800 MB/s
Velocidad de escritura13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Voltaje de operación3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)9 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)8,2 W
Ancho80,2 mm
Profundidad2,38 mm
Altura22,1 mm
Peso9 g
Tipo de embalajeCaja
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G
Detalles del producto
MZ-VAP4T0BW
32 Artículos
Nuevo

Ficha técnica

SDD, capacidad
4 TB
NVMe
Si
Factor de forma de disco SSD
M.2
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Peso
9 g
Ancho
80,2 mm
Profundidad
2,38 mm
Altura
22,1 mm
Componente para
PC/ordenador portátil
Tipo de embalaje
Caja
Interfaz
PCI Express 5.0
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Velocidad de lectura
14800 MB/s
Velocidad de escritura
13400 MB/s
Voltaje de operación
3,3 V
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Golpes en funcionamiento
1500 G
Encriptación de hardware
Si
Lectura aleatoria (4KB)
2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Soporte TRIM
Si
Consumo eléctrico promedio (lectura)
9 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)
8,2 W

Referencias específicas

ean13
8806095811703
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