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Kingston Technology KSM64R52BD4-64HA módulo de memoria 16 GB 1 x 16 GB DDR5 6400 MT s 288-pin DIMM ECC
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Kingston Technology KSM64R52BD4-64HA módulo de memoria 16 GB 1 x 16 GB DDR5 6400 MT/s 288-pin DIMM ECC

KSM64R52BD4-64HA

Kingston Technology KSM64R52BD4-64HA, 16 GB, 1 x 16 GB, DDR5, 288-pin DIMM

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Descripción
Kingston Technology KSM64R52BD4-64HA. Componente para: Servidor, Memoria interna: 16 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM, Latencia CAS: 52, ECC
Memoria interna16 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 16 GB
Tipo de memoria internaDDR5
Rango de memoria de transferencia de datos6400 MT/s
Componente paraServidor
Forma de factor de memoria288-pin DIMM
ECCSi
On-Die ECCNo
Latencia CAS52
Tipo de memoria con búferRegistered (buffered)
Clasificación de memoria1
Voltaje de memoria1.1 V
Tiempo de ciclo de fila48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila295 ns
Tiempo activo en fila32 ns
Tiempo mínimo entre una fase de precarga y una fase de activación (TRP)16
Perfil SPDSi
Programador de potencia de voltaje (VPP)1,8 V
Placa de plomoOro
Estándar JEDECSi
Intervalo de temperatura operativa0 - 95 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Certificados de conformidadRoHS
Ancho133,3 mm
Altura31,2 mm
Organización de los chips1Rx8
No contieneHalógeno
Detalles del producto
Kingston Technology
KSM64R52BD4-64HA
1 Artículo
Nuevo

Ficha técnica

Memoria interna
16 GB
Tipo de memoria interna
DDR5
Forma de factor de memoria
288-pin DIMM
Intervalo de temperatura operativa
0 - 95 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Certificados de conformidad
RoHS
Ancho
133,3 mm
Altura
31,2 mm
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 16 GB
Componente para
Servidor
ECC
Si
Rango de memoria de transferencia de datos
6400 MT/s
No contiene
Halógeno
Tipo de memoria con búfer
Registered (buffered)
Latencia CAS
52
Voltaje de memoria
1.1 V
Tiempo de ciclo de fila
48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
295 ns
Tiempo activo en fila
32 ns
Placa de plomo
Oro
On-Die ECC
No
Clasificación de memoria
1
Programador de potencia de voltaje (VPP)
1,8 V
Estándar JEDEC
Si
Perfil SPD
Si
Organización de los chips
1Rx8
Tiempo mínimo entre una fase de precarga y una fase de activación (TRP)
16

Referencias específicas

ean13
0740617349245
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