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Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS6-8 módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR5 4800 MHz
  • Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS6-8 módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR5 4800 MHz

Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS6-8 módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR5 4800 MHz

KVR48S40BS6-8
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Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS6-8, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR5, 4800 MHz, 262-pin SO-DIMM

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Descripción
ValueRAM, la memoria estándar de Kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de Kingston. Cuando uno sabe lo que quiere, lo que quiere es ValueRAM.

Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS6-8. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 40
Memoria interna8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
Tipo de memoria internaDDR5
Velocidad de memoria del reloj4800 MHz
Componente paraPortátil
Forma de factor de memoria262-pin SO-DIMM
ECCNo
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
On-Die ECCSi
Latencia CAS40
Clasificación de memoria1
Voltaje de memoria1.1 V
Tiempo de ciclo de fila48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila295 ns
Tiempo activo en fila32 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP)1,8 V
Placa de plomoOro
Estándar JEDECSi
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Certificados de conformidadRoHS
Ancho69,6 mm
Altura30 mm
Código de Sistema de Armomización (SA)84733020
Detalles del producto
Kingston Technology
KVR48S40BS6-8
1 Artículo
Nuevo

Ficha técnica

Memoria interna
8 GB
Tipo de memoria interna
DDR5
Velocidad de memoria del reloj
4800 MHz
Forma de factor de memoria
262-pin SO-DIMM
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Certificados de conformidad
RoHS
Ancho
69,6 mm
Altura
30 mm
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 8 GB
Componente para
Portátil
ECC
No
Código de Sistema de Armomización (SA)
84733020
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS
40
Voltaje de memoria
1.1 V
Tiempo de ciclo de fila
48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
295 ns
Tiempo activo en fila
32 ns
Placa de plomo
Oro
On-Die ECC
Si
Clasificación de memoria
1
Programador de potencia de voltaje (VPP)
1,8 V
Estándar JEDEC
Si

Referencias específicas

ean13
0740617327090
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