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Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

MZ-VAP8T0BW
Samsung

Samsung MZ-VAP8T0, 8 TB, M.2, 14800 MB/s

2.824,36 €
2.739,63 € 3% de descuento
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Descripción
Samsung MZ-VAP8T0. SDD, capacidad: 8 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
SDD, capacidad8 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 5.0
NVMeSi
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC/ordenador portátil
Encriptación de hardwareSi
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Velocidad de lectura14800 MB/s
Velocidad de escritura13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Función DevSleepSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Voltaje de operación3,3 V
Ancho80,2 mm
Profundidad3,88 mm
Altura22,1 mm
Tipo de embalajeCaja
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G
Periodo de garantía5 año(s)
Detalles del producto
MZ-VAP8T0BW
6 Artículos
Nuevo

Ficha técnica

SDD, capacidad
8 TB
NVMe
Si
Factor de forma de disco SSD
M.2
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Ancho
80,2 mm
Profundidad
3,88 mm
Altura
22,1 mm
Componente para
PC/ordenador portátil
Tipo de embalaje
Caja
Interfaz
PCI Express 5.0
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Periodo de garantía
5 año(s)
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Velocidad de lectura
14800 MB/s
Velocidad de escritura
13400 MB/s
Voltaje de operación
3,3 V
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Golpes en funcionamiento
1500 G
Encriptación de hardware
Si
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Lectura aleatoria (4KB)
2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Soporte TRIM
Si
Función DevSleep
Si

Referencias específicas

ean13
8806095811680
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