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Samsung MZ-77Q4T0 4 TB 2.5" Serial ATA III V-NAND MLC
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Samsung MZ-77Q4T0 4 TB 2.5" Serial ATA III V-NAND MLC

MZ-77Q4T0BW
Samsung

Samsung MZ-77Q4T0, 4 TB, 2.5", 560 MB/s, 6 Gbit/s

323,59 €
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Descripción
Haz mucho más, ve a lo grande
El 870 QVO es lo último de la segunda generación de Samsung. El SSD QLC es el tipo de SSD de mayor capacidad, ya que proporciona hasta 8 TB de almacenamiento. Este disco, ofrece opciones increíbles para los usuarios que quieren aumentar la memoria de su PC o portátil hasta el máximo disponible en el mercado, y sin comprometer el rendimiento.

Mejorado en todos los sentidos
Al alcanzar el límite máximo de interfaz SATA de 560/530 MB/s de velocidad secuencial, el 870 QVO presenta una velocidad aleatoria mejorada y un rendimiento sostenido en comparación con el modelo anterior 860 QVO. El TurboWrite inteligente acelera las velocidades de escritura y mantiene un alto rendimiento a largo plazo con un búfer variable más grande.

Disfruta de la capacidad máxima
El 870 QVO está disponible en 1, 2, 4 y 8TB, y el modelo de 8TB es, con mucho, el SSD SATA de más capacidad a nivel de usuario. Con el 870 QVO, podrás disfrutar y escalar puestos en el mayor entorno informático SSD de la historia y con un precio más accesible.

Fiable y sostenible
La capacidad innovadora del 870 QVO duplica su fiabilidad hasta 2.880 TBW en comparación con el modelo anterior 860 QVO y está respaldado por una garantía limitada de 3 años. Este increíble SSD proporciona mayor confianza con un preciso algoritmo ECC que permite un rendimiento mucho más estable.

Actualiza con facilidad
La actualización al 870 QVO es fácil para cualquier persona con un PC de sobremesa o portátil que admita un factor de forma SATA estándar de 2.5 pulgadas. Empezar a disfrutar de este SSD es tan fácil como conectar el 870 QVO a una ranura SATA y dejar que el software de migración se encargue del resto.

Software Samsung Magician
Haz que tu disco funcione como por arte de magia. El nuevo y mejorado software Samsung Magacian 6.1 mantendrá tu SSD bajo control. Puedes administrar fácilmente tu disco con una amplia gama de útiles herramientas, y así mantenerte al día con las últimas actualizaciones, monitorear el estado del disco, o incluso mejorar su rendimiento.

La memoria flash número 1 del mundo
Experimenta un rendimiento y una confianza superiores que solo podrás obtener de la marca número uno del mundo en memorias flash desde 2003. Todos los firmware y componentes, incluidos DRAM y NAND, de renombre mundial de Samsung, se producen internamente, lo que permite un control de principio a fin. Producimos una calidad en la que puedes confiar.

Samsung MZ-77Q4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 560 MB/s, Velocidad de escritura: 530 MB/s, Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s, Componente para: PC/ordenador portátil
SDD, capacidad4 TB
Factor de forma de disco SSD2.5"
InterfazSerial ATA III
Tipo de memoriaV-NAND MLC
Componente paraPC/ordenador portátil
Encriptación de hardwareSi
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Velocidad de transferencia de datos6 Gbit/s
Velocidad de lectura560 MB/s
Velocidad de escritura530 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)98000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)88000 IOPS
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Voltaje de operación5 V
Consumo de energía (max)4 W
Consumo de energía (promedio)2,2 W
Ancho69,8 mm
Profundidad100 mm
Altura6,8 mm
Peso46 g
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G
Código de Sistema de Armomización (SA)84717070
Detalles del producto
MZ-77Q4T0BW
2 Artículos
Nuevo

Ficha técnica

SDD, capacidad
4 TB
Factor de forma de disco SSD
2.5"
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Peso
46 g
Ancho
69,8 mm
Profundidad
100 mm
Altura
6,8 mm
Consumo de energía (max)
4 W
Componente para
PC/ordenador portátil
Interfaz
Serial ATA III
Código de Sistema de Armomización (SA)
84717070
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Velocidad de lectura
560 MB/s
Velocidad de escritura
530 MB/s
Velocidad de transferencia de datos
6 Gbit/s
Voltaje de operación
5 V
Tipo de memoria
V-NAND MLC
Golpes en funcionamiento
1500 G
Encriptación de hardware
Si
Lectura aleatoria (4KB)
98000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
88000 IOPS
Soporte TRIM
Si
Consumo de energía (promedio)
2,2 W

Referencias específicas

ean13
8806090396021
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