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Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

MZ-VAP1T0CW
Samsung

Samsung MZ-VAP1T0, 1 TB, M.2, 14700 MB/s

325,63 €
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Descripción
Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
SDD, capacidad1 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 5.0
NVMeSi
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC/Consola de videojuegos
Encriptación de hardwareSi
Versión NVMe2.0
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura14700 MB/s
Velocidad de escritura13300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Voltaje de operación3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)7,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)7,2 W
Ancho80,2 mm
Profundidad8,88 mm
Altura25 mm
Peso30 g
Tipo de embalajeCaja
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G
Detalles del producto
MZ-VAP1T0CW
3 Artículos
Nuevo

Ficha técnica

SDD, capacidad
1 TB
NVMe
Si
Factor de forma de disco SSD
M.2
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Peso
30 g
Ancho
80,2 mm
Profundidad
8,88 mm
Altura
25 mm
Componente para
PC/Consola de videojuegos
Tipo de embalaje
Caja
Interfaz
PCI Express 5.0
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Velocidad de lectura
14700 MB/s
Velocidad de escritura
13300 MB/s
Voltaje de operación
3,3 V
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Golpes en funcionamiento
1500 G
Encriptación de hardware
Si
Versión NVMe
2.0
Lectura aleatoria (4KB)
1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Soporte TRIM
Si
Consumo eléctrico promedio (lectura)
7,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)
7,2 W

Referencias específicas

ean13
8806095811673
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