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Samsung 990 EVO 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung 990 EVO 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

MZ-V9E2T0BW
Samsung

Samsung 990 EVO, 2 TB, M.2, 5000 MB/s

168,83 €
158,70 € 6% de descuento
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17 Artículos

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Descripción
Velocidad para ir siempre por delante
990 EVO ofrece unas velocidades de lectura y escritura mejoradas de hasta 5.000/4.200 MB/s y velocidades aleatorias de lectura y escritura de hasta 700 K/800 K IOPS, llegando a ser hasta un 43 % más rápido que 970 EVO Plus 2TB. Deja de esperar a que carguen tus juegos y accede a archivos grandes al instante.

Eficiencia energética mejorada
Enciéndelo y hazlo todo. Con una notable mejora de la eficiencia energética del 70 % en comparación con el modelo anterior, puedes utilizarlo por más tiempo sin preocuparte por la batería. Además, es compatible con Modern Standby, que te permite conectarte a internet y seguir recibiendo notificaciones incluso en modo de bajo consumo.

Solución inteligente contra el calor
El disipador de calor de 990 EVO ayuda a controlar la temperatura del chip NAND. El innovador algoritmo de control de temperatura de Samsung trabaja junto a Dynamic Thermal Guard para asegurar un rendimiento consistente y fiable. Mantén tu productividad al rojo vivo, no tus dispositivos.

Versátil para hacerlo todo
Haz todas tus tareas con un único SSD. Aumenta tu rendimiento y cumple con todos tus objetivos de juego, trabajo y creatividad. Es compatible con las últimas interfaces PCIe® 4.0 x4 y PCIe® 5.0 x2, por lo que te ofrece flexibilidad para todo lo que puedes (y podrás) hacer. Mantente a la cabeza con este dispositivo todoterreno.

Software Samsung Magician
Tu SSD funciona como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento SSD. Es una forma fácil y segura de transferir todos tus datos para conseguir una mejora de SSD Samsung. Protege tu información valiosa, controla la salud del dispositivo y obtén las últimas actualizaciones de firmware.

La innovación cobra vida
Desde hace décadas, las memorias flash NAND de Samsung han incorporado tecnologías rompedoras capaces de cambiar tu día a día. Esta tecnología flash NAND también está presente en nuestros dispositivos SSDs para adentrarlos en la próxima era de la innovación.

Rendimiento
Consigue una mayor velocidad de lectura secuencial de hasta 5.000 MB/s, un 43 % más rápida que la del modelo anterior.

Eficiencia energética
Eficiencia energética mejorada en un 70 % en comparación con el modelo anterior, compatibilidad con Modern Standby y batería más duradera.

Versatilidad
Aumenta tu rendimiento gaming, profesional y creativo cada día con la compatibilidad PCIe® 4.0 x4 y PCIe® 5.0 x2.

Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: Universal
SDD, capacidad2 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 4.0
NVMeSi
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraUniversal
Encriptación de hardwareSi
Versión NVMe2.0
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura5000 MB/s
Velocidad de escritura4200 MB/s
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Revisión PCI Express CEM4.0
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
calificación TBW1200
Voltaje de operación3,3 V
Consumo de energía (lectura)5,5 W
Consumo de energía (escritura)4,7 W
Consumo energético (en suspensión)0,005 W
Consumo de energía (espera)0,06 W
Ancho80,2 mm
Profundidad22,1 mm
Altura2,38 mm
Peso9 g
Tipo de embalajeCaja
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
Vibración no operativa20 G
Golpe (fuera de operación)1500 G
Periodo de garantía5 año(s)
Detalles del producto
MZ-V9E2T0BW
17 Artículos
Nuevo

Ficha técnica

SDD, capacidad
2 TB
NVMe
Si
Factor de forma de disco SSD
M.2
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento
5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje
5 - 95%
Peso
9 g
Ancho
80,2 mm
Profundidad
22,1 mm
Altura
2,38 mm
Componente para
Universal
Tipo de embalaje
Caja
Interfaz
PCI Express 4.0
Consumo energético (en suspensión)
0,005 W
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Periodo de garantía
5 año(s)
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Velocidad de lectura
5000 MB/s
Velocidad de escritura
4200 MB/s
Voltaje de operación
3,3 V
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Encriptación de hardware
Si
Versión NVMe
2.0
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
calificación TBW
1200
Consumo de energía (lectura)
5,5 W
Consumo de energía (escritura)
4,7 W
Golpe (fuera de operación)
1500 G
Soporte TRIM
Si
Vibración no operativa
20 G
Revisión PCI Express CEM
4.0
Consumo de energía (espera)
0,06 W

Referencias específicas

ean13
8806095300269
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