Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

Ficha técnica

SDD, capacidad

1 TB

NVMe

Si

Factor de forma de disco SSD

M.2

Intervalo de temperatura operativa

0 - 70 °C

Ancho

80,2 mm

Profundidad

2,38 mm

Altura

22,1 mm

Componente para

PC

Tipo de embalaje

Caja

Interfaz

PCI Express 4.0

Algoritmos de seguridad soportados

256-bit AES, TCG Opal 2.0

Tiempo medio entre fallos

1500000 h

Soporte S.M.A.R.T.

Si

Velocidad de lectura

7150 MB/s

Velocidad de escritura

6450 MB/s

Voltaje de operación

3,3 V

Tipo de memoria

V-NAND

Tamaño de la unidad SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Golpes en funcionamiento

1500 G

Encriptación de hardware

Si

Versión NVMe

2.0

Carriles datos de interfaz PCI Express

x4

Consumo de energía (lectura)

4 W

Consumo de energía (escritura)

3,7 W

Lectura aleatoria (4KB)

700000 IOPS

Escritura aleatoria (4KB)

1100000 IOPS

Soporte TRIM

Si

Revisión PCI Express CEM

4.0

Consumo de energía (espera)

0,055 W

Función DevSleep

Si

Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)

3 mW

Referencias específicas

ean13

8806099020699